時間:2017-06-06 來源:互聯網 瀏覽量:
盡管沒有在本屆台北電腦展(Computex 2017)上搞個大新聞,但是鎂光(Micron)還是在本月早些時候的一篇博客文章中透露了該公司在顯存方麵的最新進展。 據悉,該公司成功地在實驗室場景下,讓GDDR5X顯存以16Gbps高速運行。此外鎂光表示,GDDR6顯存也將“很快到來”。 如此高的速度,得益於量產版GDDR5X顯存中“有意義的一部分樣本”,這意味著上述結果並非特殊製作或模擬而成。
成果相當激動人心,但不要期望很快有搭載該高速顯存的顯卡上市。
文中還提到了GDDR6與GDDR5X顯存的一些區別,GDDR5X的經典配置是 16/32-bit I/O 位寬,而GDDR6則支持雙路8-bit或16-bit位寬。
鎂光未闡明這麼做的好處,但我們猜測它可以支持臨時關閉一個通道的節能模式,這對於移動設備來說更有意義。
此外,GDDR6顯存的封裝可以更大,但觸點也少了10個。換言之,觸點之間的間距可以略大一些。
遺憾的是,我們可能需要多等一段時間,才能迎來GDDR6顯存的量產。Kris Kido表示:“我公司預計可在2018年初開產新型顯存”。
照此推算,搭載新顯存的顯卡,最早也要等到明年晚些時候才能到來。而回顧 2 年前推出的AMD Radeon R9 Nano顯卡,其搭載的HBM顯存仍有望改變行業的現有格局。