IBM攻克5nm晶體管難題：手機續航提升3倍

    北京時間6月5日消息，IBM宣布，摩爾定律並未終止，5nm芯片可以實現在指甲蓋大小中集成300億顆晶體管。相比較之下，當前10nm的驍龍835僅僅集成的晶體管數量約為30億。

IBM攻克5nm晶體管難題（圖片來自baidu）

    IBM強調，同樣封裝麵積晶體管數量的增大有非常多的好處，比如降低成本、提高性能，而且非常重要的一點是，5nm加持下，現有設備如手機的電池壽命將提高2至3倍。

    根據早前資料，業內很多人士都表示5nm可能是物理極限。但是IBM並不這麼認為，其描述的(22納米製程芯片上的) 10納米厚度SiBCN與SiOCN間隔介質性能如何超越SiN，以及在7納米製程測試芯片采用6納米厚度絕緣介質的實驗。

    IBM打算在14納米製程節點(已經於GlobalFoundries生產)導入SiBCN絕緣體，而SiOCN將在7納米節點采用；Stathis透露，IBM期望可在5納米節點使用終極絕緣體──氣隙(air gap)。