時間：2020-02-04 來源：互聯網 瀏覽量：
據外媒報道稱，三星近日宣布推出其第三代高帶寬內存2E（HBM2E）“ Flashbolt”，三星預計這款芯閃存將在今年上半年開始量產。據介紹，三星推出16GB的高帶寬內存2E目的在於最大化高性能計算（HPC）係統並幫助係統製造商改進其超級計算機、AI驅動的數據分析和最新的圖形係統。
據了解，實現16GB的容量是通過在緩衝芯片頂部垂直堆疊八層10nm級（1y）16千兆位（Gb）DRAM芯片，然後該HBM2E封裝以40000多個“直通矽通孔”（TSV）微型凸塊的精確排列進行互連，每個16Gb芯片均包含5600多個此類微小孔。
據三星稱，該設備通過利用專有的優化電路設計進行信號傳輸能夠提供每個引腳的數據傳輸速率為3.2 Gbps可靠的數據傳輸速度，同時每個堆棧提供410GB / s的內存帶寬。HBM2E還可以達到4.2Gbps的傳輸速度，這是迄今為止最大的測試數據速率，在某些將來的應用中，每個堆棧的帶寬高達538GB / s。這將比Aquabolt的307GB /秒提高1.75倍。
編譯來源：Newelectronics
