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新型存儲器有望卷動千億美元內存市場 為PC鋪道

時間:2020-02-01 來源:互聯網 瀏覽量:

多年來,存儲器製造商一直試圖在單個封裝中集成動態隨機存儲器(RAM)和閃存(NAND)的共同優勢,但一直收效甚微。 新型非易失性存儲器,有望成為技術突破的一個關鍵。其具有類似於 RAM 的運行速度、以及 NAND 的斷電非易失特性。 能夠瞬時打開、並從上次中斷的位置恢複,為即時(Instand-On)PC 的到來而鋪平道路。

新型存儲器有望卷動千億美元內存市場 為PC鋪道(1)

資料圖(來自: Intel ,via TechSpot )

經常關注存儲技術的朋友,可能或多或少地聽說過幾種可讓 RAM 和 SSD 運行更快、更密集、更節能的新技術。

另有一些研究試圖推動“內存中計算”的方法,從根本上消除了數據在處理器、內存等部件之間往返所導致的性能滯後。

上述想法都基於如下事實,即將數據寫入 DRAM,是一種快速且節能的方案。可一旦斷電,數據的完整性也難以維持。此外係統必須不斷刷新數據,導致效率不是很高。

另一方麵,NAND 是一種相對健壯的數據存儲方式,隻是寫入和擦除的速度太慢,導致存儲單元性能下降,難以取代現有的 DRAM 。

好消息是,英國蘭開斯特大學的研究人員稱,他們已經打造了一種新型的非易失性存儲器 —— 速度可與 DRAM 媲美,寫入能耗卻僅為百分之一。

這項技術被稱作 UK III-V 存儲器,其基於 20nm 光刻工藝製造,寫入時間僅為 5ns(與 DRAM 相當),且提供了類似閃存的簡單讀取特性。

更棒的是,這是一種非易失性存儲,能夠在斷電時保持數據的完整性。

新型存儲器有望卷動千億美元內存市場 為PC鋪道(2)

(UK III-V 原型晶體管)

截至目前,原型裝置已能夠通過 2.1V 的電壓來擦除和編程數據。相比之下,典型 NAND 單元需要施加 3V 的擦除電壓。

通過使用交替的 GaSb(銻化镓)和InAs(砷化銦)層,研究團隊打造出了所謂的“雙阱共振隧道結”,並達成了這一目標。

新型存儲單元的工作方式與閃存類似,使用“浮柵”來存儲“0”或“1”,但此處 InAs 浮柵被不連續的 GaSb 和 AlSb 大導帶所隔離。

簡單來說,UK III-V 存儲器中使用的晶體管,具有更好的開關狀態。它們被設計為利用兩種材料來確保將信息存儲特別長的一段時間。

盡管沒有披露讀取操作所需的功耗等細節,但首席研究員 Manus Hayne 表示:在重複讀取“1”的時候,新型存儲器無需重建或不斷刷新來確保數據的完整性。

當然,最讓我們感興趣的,莫過於即使在斷電的情況下,UK III-V 內存亦可保留數據、並在通電後瞬時返回上上次工作中斷的位置。

Manus Hayne 稱,團隊正在為新技術申請專利,未來有望攪動 1000 億美元的 DRAM 和閃存市場。

【來源:cnBeta.COM】

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