時間：2020-02-01 來源：互聯網 瀏覽量：
多年來，存儲器製造商一直試圖在單個封裝中集成動態隨機存儲器（RAM）和閃存（NAND）的共同優勢，但一直收效甚微。 新型非易失性存儲器，有望成為技術突破的一個關鍵。其具有類似於 RAM 的運行速度、以及 NAND 的斷電非易失特性。 能夠瞬時打開、並從上次中斷的位置恢複，為即時（Instand-On）PC 的到來而鋪平道路。
資料圖（來自： Intel ，via TechSpot ）
經常關注存儲技術的朋友，可能或多或少地聽說過幾種可讓 RAM 和 SSD 運行更快、更密集、更節能的新技術。
另有一些研究試圖推動“內存中計算”的方法，從根本上消除了數據在處理器、內存等部件之間往返所導致的性能滯後。
上述想法都基於如下事實，即將數據寫入 DRAM，是一種快速且節能的方案。可一旦斷電，數據的完整性也難以維持。此外係統必須不斷刷新數據，導致效率不是很高。
另一方麵，NAND 是一種相對健壯的數據存儲方式，隻是寫入和擦除的速度太慢，導致存儲單元性能下降，難以取代現有的 DRAM 。
好消息是，英國蘭開斯特大學的研究人員稱，他們已經打造了一種新型的非易失性存儲器 —— 速度可與 DRAM 媲美，寫入能耗卻僅為百分之一。
這項技術被稱作 UK III-V 存儲器，其基於 20nm 光刻工藝製造，寫入時間僅為 5ns（與 DRAM 相當），且提供了類似閃存的簡單讀取特性。
更棒的是，這是一種非易失性存儲，能夠在斷電時保持數據的完整性。
（UK III-V 原型晶體管）
截至目前，原型裝置已能夠通過 2.1V 的電壓來擦除和編程數據。相比之下，典型 NAND 單元需要施加 3V 的擦除電壓。
通過使用交替的 GaSb（銻化镓）和InAs（砷化銦）層，研究團隊打造出了所謂的“雙阱共振隧道結”，並達成了這一目標。
新型存儲單元的工作方式與閃存類似，使用“浮柵”來存儲“0”或“1”，但此處 InAs 浮柵被不連續的 GaSb 和 AlSb 大導帶所隔離。
簡單來說，UK III-V 存儲器中使用的晶體管，具有更好的開關狀態。它們被設計為利用兩種材料來確保將信息存儲特別長的一段時間。
盡管沒有披露讀取操作所需的功耗等細節，但首席研究員 Manus Hayne 表示：在重複讀取“1”的時候，新型存儲器無需重建或不斷刷新來確保數據的完整性。
當然，最讓我們感興趣的，莫過於即使在斷電的情況下，UK III-V 內存亦可保留數據、並在通電後瞬時返回上上次工作中斷的位置。
Manus Hayne 稱，團隊正在為新技術申請專利，未來有望攪動 1000 億美元的 DRAM 和閃存市場。
【來源：cnBeta.COM】
