東芝:完成128層3D NAND Flash芯片開發

      3月7日消息，東芝和合作夥伴西部數據日前宣布，已經完成了128層3D NAND Flash芯片的開發，預計商用名會是BiCS-5。

（圖片來自https://news.mydrivers.com/1/618/618269.htm）

      BiCS-5理論容量密度提升約33%，晶片容量為512Gb(64GB)，計劃2020年到2021年期間商用。

      性能方麵，BiCS-5芯片采用單Die四矩陣技術，寫速相較於兩矩陣翻番，達到132MB/s。這個速度怎麼理解？就是SLC緩存飽和之後的SSD的真實寫速。

      有趣的是，128層產品為TLC，而非QLC，原因是後者的產能還很低。