三星將於下個月公布非易失性內存技術

4月27日消息：最近有消息稱，三星將在5月24日的晶圓廠商論壇活動中公布其全新研發的MRAM，即磁阻式隨機存儲器。

　　據悉，新的MRAM速度比普通閃存快10萬倍，更重要的一個特征是不會丟失數據。該技術由三星和IBM在去年7月首次公開展示。

　　而就在研發過程中，三星還加入了自旋轉矩技術，可以大降低功耗。這項突破使得MRAM有條件運用到對功耗要求更敏感的移動設備上來，比如讓手機實現內存、閃存的二合一。

MRAM

　　不過有關該技術的更多具體信息，現在並沒有大範圍公開，我們也隻能期待三星能在5月給業界帶來一些驚喜，這或許會成為一個新的契機。

　　事實上，對於非易失性內存的研發、應用和普及，業界已經期待了多年，但是不論在研發上還是商業化上，目前都沒有一個完美的解決方案，所以整個業界對此也相當謹慎。