時間:2018-01-09 來源:互聯網 瀏覽量:
近日,東芝在CES 2018上展示了RC100 NVMe固態硬盤,最大的亮點在於RC100采用無DRAM(緩存)設計。早在此前就有部分廠商處於成本考慮推出了一些無緩存固態硬盤,但基本都是采用SATA接口且讀寫速度一般在500MB/s左右。
同樣作為無緩存設計的RC100固態硬盤走的卻是PCIe 3.0 x2通道,連續讀寫速度可達1620 MB/s(讀取)、1130 MB/s(寫入)。
據官方介紹,RC100固態硬盤采用的是主控內集成緩存(HBM)設計,隨機讀寫IOPS分別高達160/120k。目前RC100固態硬盤擁有120/240/480GB三種容量可選,提供3年保修服務,價格及具體發售日期暫未公布。