三星DRAM遇到天花板？15nm工藝或是那道坎

    據三星電子為了鞏固存儲器霸業，製定了宏偉的DRAM發展藍圖，不過業界預估，15納米工藝可能是DRAM製程微縮的極限，與此同時三星還將感受到來自中國業者的壓力。

三星DRAM遇到天花板？15nm工藝或是那道坎（圖片來自baidu）

    三星去年開始量產18納米DRAM，目前正研發17納米DRAM，預定今年底完成開發、明年量產。與此同時，三星也成立16納米DRAM開發小組，目標最快2020年量產。相關人士透露，微縮難度高，2020年量產時間可能延後。

    三星從20納米製程，轉進10納米製程，縮小線寬（Line－width）的速度明顯放緩。對此，三星設備解決方案部門的半導體實驗室人員Jung Eun－seung說，為了繼續縮小線寬，必須開發與當前不同的新材質，並提高製程穩定性，以便進入量產。因為由15nm開始，電流外泄和電容器幹擾和情況將更為明顯，需要開發新的材質。

    業界人士估計，15納米或許是製程微縮的極限，未來三星可能難以透過製程微縮拉大與對手差距，並擔憂中國業者急起直追，趕上三星。