時間：2017-09-21 來源：互聯網 瀏覽量：
本周對於Intel的10nm先進工藝來說，可謂坐過山車般。
周二的精尖製造日活動，Intel大談特談擁有超微縮FinFET的10nm是如何先進，領先友商3年，然而昨天（周三），Digitimes從筆記本OEM廠商那裏獲悉，Intel突然將Cannon Lake處理器延期到2018年末。
對此，網易報道稱，Intel中國區總裁楊旭接受采訪時強調，“Intel 10nm在今年第四季度就可以實現投產。”
他同時指出，“我們現在已經有技術驗證7nm到5nm都沒有問題。 而且我們在通過前瞻研究推進5nm以後的，比如3nm、1nm ，這些當然就需要很多別的新的技術，英特爾一直在探索。”
不過，資料顯示，從物理學的角度，5nm以及之後需要解決絕緣體的問題，目前的14nm/10nm使用的是氮碳化矽硼(SiBCN)，7nm使用的是氮碳氧化矽(SiOCN)， 但用於5nm的終極絕緣體氣隙(air gap)連IBM也沒搞定。
當然，這隻是一方麵，EUV的光源功率、III-V材料等也都個個棘手。
1nm都來了，看來pm（皮米）、fm（飛米）也快了。
