時間：2017-08-09 來源：互聯網 瀏覽量：
磁性隨機存取內存(MRAM)將在今年達到一個新的裏程碑。Everspin宣布開始嚐試打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片，另外他們已經將這款高壽命、非易失性的內存芯片生產提上議程。Everspin的ST-MRAM能夠提供持久的記憶能力，相較於普通的NAND閃存技術，它可以減少寫入放大倍數並擁有更好的耐用性。
這款新芯片采用的則是一個兼容DDR4的接口。這家公司表示，供應商可以利用持久的記憶技術設計企業級SSD或對現有的儲存產品展開進一步的改善。
據了解，ST-MARAM的密度要比公司旗下現有的任何256MB(32MB)芯片大得多。Everspin指出，從Global Foundries的40nm工藝到foundry 28nm工藝的轉變是開發這種千兆級芯片的關鍵，另外它還展示了公司垂直磁性隧道結(pMTJ)的可擴展性。
首批配備Everspin全新千兆MRAM芯片的產品之一將來自Smart Modular公司。該公司計劃發布一款NVMe PCIe硬盤，它的重量和長度都將減半，其將用於元數據緩存和儲存加速應用。Smart Modular表示，該產品單元在4K隨機讀寫測試中能夠達到1500K IOPS。
眼下，Everspin正在閃存峰會(Flash Memory Summit)展示他們的1Gb ST-MRAM。
